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    氮化镓发光半导体，在水平面上制造制程比较低，哪怕是300微米也没问题。

    但在垂直层上，要求可高了。

    这些层厚，是以纳米来计量的。

    这需要严格的操作环境和检测工具。

    比如原子蒸馏，需要气化金属的温度上下误差不超过十度，这可是几千度的高温条件，还要在真空环境下，或者充满惰性气体的环境。

    至于测量，更是要命。

    需要精确的电子测量仪，用到环形加速器，所带的电子福特能量，精确到小数点后四位，通过基层上埋设的反射材料，通过高敏光电半导体，检测反射后的电子能量的消减，来测算厚度。

    高精度电子加速器、高敏光电半导体，相应的计算处理芯片……

    “这特么都是坑啊，填不平的，国内还没有能力造出来。”

    赵国庆的优势就是，可以通过理论计算，设计最佳的外延层厚度，最佳的掺杂纯度以及p极、n极厚度和材料，还有pn极的场效应结构。

    这些东西需要西方再摸索二十年。

    无论厚度、纯度还是材料的纯度、结构，差之毫厘，谬之千里，这也是西方很多科学家，放弃研究氮化镓发光半导体的原因。

    因为他们做的实验，氮化镓发光半导体的性能，根本没那么出色。

    哪怕日本的中村修、赤琦勇、田野浩发明蓝光led的时候，事实上，那时候的蓝光led的表现只能说出色，还谈不上惊艳。

    十倍光效的蓝光led，还需要全世界研究三十年。

    赵国庆长叹一口气，在他看来，中西五年的蜜月期，引进这些设备，才是最要紧的。

    再看看隔壁的毛熊。

    他们难道不愿意使用更轻便的半导体芯片吗？克伯格甚至偷来了美利坚最先进的芯片图纸。

    可有什么用。

    糟糕的制造工艺，让他们生产出来的芯片，性能根本满足不了军工的苛刻要求。

    这也逼的他们，不得不深耕电子管技术，只能在辅助设备上，使用半导体芯片。

    要知道，同样的14纳米制程，也存在着巨大的技术鸿沟。

    别以为制程赶上来了，就能达到先进水平了。

    还远的很。
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